華為鑽漏洞 美擬加強禁令

美國近年聯合盟友圍堵中國，但仍有漏洞。美國國會跨派議員公布最新調查報告，點名三家中國晶片商，疑似利用日本與荷蘭的規定與美國不一致，暗助受美國制裁的華為公司，獲得高階晶片製造設備。報告呼籲華府應與盟國加強合作，進一步擴大對中國晶片製造設備的出口限制。

路透報導，眾議院「美中戰略競爭特別委員會」近日發表題為「中國共如何從美國、荷蘭與日本企業獲取關鍵半導體製造設備」的報告指出，由於美國、日本、荷蘭三國的出口管制規定並不一致，導致部分非美國設備商仍能對中國買家出貨，但美國廠商卻不行。委員會主張，美國及其盟友應採取「更全面的禁令」，不應僅針對個別中國晶片企業設限。

報告顯示，中國晶片業者去年從國際大廠購買380億美元的高階製造設備，較2022年增加66％。中方購置的設備來自五大半導體設備供應商，分別是美商應用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）、科林研發（Lam Research）、荷蘭艾司摩爾（ASML）與日本東京威力科創（Tokyo Electron）。

報告指出，中方去年採購的金額，約占這五家廠商總銷售額的39％，並強調這些銷售讓中國在各類晶片製造領域的競爭力快速提升，對全球人權與民主價值構成深遠影響。

報告點名昇維旭科技、深圳鵬新旭科技與芯恩（青島）集成電路公司等3家中國晶片企業，涉嫌暗助遭美國制裁的中國通訊設備龍頭華為。美國商務部去年12月將這三家中國企業，列入出口管制名單。

報告建議，未來更廣泛的禁令，應涵蓋可用於中國自製晶片製造設備的關鍵零組件，以防中國發展「國產替代」路線。

另一方面，中國記憶體龍頭長江存儲近期在美國德州法院控告美光及分銷商安富利，侵害其8項美國專利，涵蓋176層至276層NAND及低功耗DDR5／DDR5X DRAM等裝置。

長江存儲自2023年起多次在美國對美光提告，涉及的專利多達20多件。值得注意的是，這次訴訟涉及DDR5 DRAM，意味雙方的存儲市場爭奪朝向具有低功耗、高頻寬、小尺寸需求的應用市場，尤其是針對人工智慧的需求。

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