AI！三星4奈米HBM4晶片良率破90%

三星子（Samsung Electronics）正第六代HBM（HBM4）入最品段，晶代工部（Foundry）近期4奈米程良率已定突破90%。者敬／

三星子（Samsung Electronics）正第六代HBM（HBM4）入最品段，晶代工部（Foundry）近期4奈米程良率已定突破90%。

根消息人士20日的法，超90%的良率意味著每生十晶片中，就有超九是合格品，技定性已合量。著三星部供（NVIDIA）和超微（AMD）等客而量HBM4品，代工部已4奈米一半的能投入晶片生。

延伸：美光大手挖角 定三星、SK海力士高HBM人才

[caption id="attachment_156209" align="aligncenter" width="1200"]

三星第六代HBM程良率大幅上升。（／科技料照）[/caption]

晶片地位升，代工程成致

HBM是由多DRAM堆而成，最底的晶片是核心控制元，它接堆的DRAMAI晶片的理器（GPU），管控源供和。外媒，三星主要局在自家晶代工部，用4奈米程造HBM4晶片；SK海力士主要用台的12奈米程；美光（Micron）使用自家最先的12奈米DRAM程，程越精，半效能越高、功耗表越佳。由於每一代HBM都要求更高的性能，且散日峻，因此先程用於HBM核心的晶片，已成HBM4世代的。

一位界官透露，三星代工部的4奈米程已足成熟，整程良率已超八成。晶片的良率在今年初段就已超四成。於部HBM4命所，造HBM4核心晶片的代工部，正提供全面的支持。

4奈米良率，加速入客化HBM代

三星晶代工部定的良率提振了士，因客化HBM（Custom HBM）代有望第七代HBM（HBM4）始蓬勃展。界HBM4E始，客所需的AI半用最佳化的HBM也起。了客化，造商不需要能根客需求在晶片上路，更仰晶代工具足的程能力生些，以足多化的市需求。

一位界官解，三星子先手，HBM4晶片用更精的程，以前代品的低迷。然品仍待市，即到的次世代HBM市中，晶代工的程技重要性被大幅凸。

料源：朝日

篇文章 AI！三星4奈米HBM4晶片良率破90% 最早出於 科技-掌握科技新、科技最新。