台利桑那部曝光 EUV台打造Blackwell晶片

台近期出了一段利桑那州凰城的Fab 21影片，其中最引人注目的疑是艾司摩（ASML）的Twinscan NXE紫外光（EUV）微影，些台正是造Blackwell B300理器等最路的核心。者敬／

台近期出了一段利桑那州凰城的Fab 21影片，影片中展示了百台高科技，有不紊地多家美公司造晶片，其中最引人注目的疑是艾司摩（ASML）的Twinscan NXE紫外光（EUV）微影，些台正是造Blackwell B300理器等最路的核心。

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台利桑那部曝光 EUV台打造Blackwell晶片
台出的影片可以清楚看到Twinscan NXE紫外光（EUV）微影。（／台）[/caption]

台罕公房的作流程

段影片深入解Fab 21第一段工程，正逐步提升N4和N5程技（4奈米和5奈米等）的量。穿越一座座光室，透色光片短波光，防止光阻材料意外曝光。

影片的展台著名的色高速公路，即自化物料搬送系（AMHS），由高架道成，送著搭300mm晶的FOUP送盒。百前式晶送盒（FOUP）送盒在道上行，反映在高效能造（HVM）境中，持期所必需的物流管理。

影片的核心聚焦ASML的EUV描（很可能是Twinscan NXE:3600D），以似於影《本海默》的格，描了在晶列印路案的程。EUV微影技利用雷射生的，液滴中出波13.5奈米的紫外光，在腔室中可到紫色燃的面。光後照射到晶上，前程次曝光，即可建解析度低至13奈米半距的案。

影片同展示EUV技的挑，例如度必控制在奈米（NXE:3600D的要求1.1奈米），以及光元件法用於EUV光，需要使用反射等。然影片未展示晶物台和光罩膜等，但EUV已入台Fab 21。目前，Fab 21第一段主要果、超微（AMD）和等（NVIDIA）公司提供N4和N5程晶片。

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台董事魏哲家上向分析投人透露，由於客AI相需求，台正在利桑那州加速升技至N2及更先的程，涵目前正在建造中的Fab 21第二段，原生N3程，在有生N3和N2系列程晶片的能力，而原是第三段所的。

魏哲家一步指出，公司即取得附近第二大型土地，以支持目前的建，未年的AI相需求提供更大的活性。台目在利桑那州大成一立的超大晶（Gigafab）聚落，以支持智慧型手、AI 和高效能算等域先客的需求。按照台的定，月能超 10 片晶的即超大晶。