【林宏文】HBM 代被HBF取代？可能Micron 或 SanDisk？ 南高之父的言，成真？

KAIST 教授、HBM（高）之父金正（Jung-Ho Kim），近在目上提到，「AI 代的主，正 GPU 向」。他甚至直言，Nvidia 了三星 SK Hynix 的依，未可能公司，例如 Micron 或 SanDisk。

金正也，未的新代，目前的HBM（高）到HBF（高快），其中，在的HBM的M是DRAM，未的HBF成Flash，他也告，「HBM 代即束，HBF 代要了！」

金正教授是目前全球知名的家，他服的Kaist也是南最具影力的研究，他在做，全球公司股也同步大幅上，也引起市很多。

HBM 即被HBF取代，有道理？Nvidia 未可能 Micron 或 SanDisk，言成真的又有多大？

先HBM 被HBF取代的。

把先在前面，格耗比，HBF有超越HBM的。但是，若命看，HBF也有不及HBM的地方。

DRAM 和 Flash 同都是，但者有非常不同的特性，在功能和命上有很大差。DRAM 主要用於高速存，命且成本低，至於Flash 用於期存，命有限但不失去料，看，DRAM 命比 Flash ，尤其是在反覆入的用中。

因此，目前的AI系，是由的算晶片GPU，加上SK海力士、美光、三星子堆起的HBM，用CoWoS封起。只是，目前HBM格很，由於的GPU已很了，再加上昂的HBM，AI系的格降不下，，是必需要快速解的。

至於HBM格如此，最的原因，就是DRAM程技已到瓶。目前DRAM程技一直停留在10奈米以上，1x、1y、1z，再到1α、1β、1γ，但上每一代展都很小，法推到十奈米以下，技法微，晶片面以小，格要下降然就很不容易。

此外，HBM的作法，是把多 DRAM 堆起，用矽穿孔（TSV）做通道，作法是有名的昂，因必需把每片DRAM都磨到非常薄，一碰就破，而且有曲的。因此，HBM技遇到瓶，格法符合摩定律的不推速度。

至於Flash格下滑速度就快很多，使用成本大幅降低，也是因其使用堆的方式，不往上堆，目前Flash的技已可以推出236的品，至於280甚至300以上的技，都快要推出上市了。界的研究看，未可以再堆到一千左右，靠著堆容量及存密度大增，然也可以格明下降。

而且，由於目前AI系需要做快速的平行算，理大量料的速度提升，Flash晶片本身就是不堆的果，具平行理的，至於DRAM的理是（random）的，Flash在一也可以加分不少。

若整AI的瓶看，以IC主的算力，至今已提升六倍，但部分的功能只有提升三百倍，另外通速度最低提升30倍，，都已跟不上IC功能的快速成，未整AI系的效能提升，必需些瓶著手，也是何有HBM要被HBF取代的。

此外，耗看，Flash用量也小，而且掉，料在，本身是不耗的，但DRAM需要不更新，DRAM的D，指的是Dynamic，也就是理，因DRAM面的料一就不，因此需要一直更新料，DRAM耗比Flash多。

旺宏子理志，原本AI系已相耗了，使用HBM又加重耗量，因此，品特性看，用Flash取代DRAM，是很自然的想法，也一直督促商，可以朝向HBF的方向努力。

目前包括DRAM的三大者SK海力士、三星子及美光，以及Flash的前五大者，也就是前述的三大再加Kioxia及SanDisk，目前都有承要加速研HBF，在2026年底或2027年入市。

不，若命看，Flash的命比DRAM短很多。由於DRAM不需要物理磨的擦作，不像 Flash 那有格的入次限制，命短未嵌入AI系，也是很重要的影因素。

因，目前AI系都是把封在一起，因此，若HBF用CoWoS封起，但HBF品命短，要掉就很麻，不像去可以直接在主板插拔即可，但CoWoS把所有晶片都包在一起，到候要如何更，或是整AI系都要掉，也遇到挑。

因此，依前面的描述，格耗比，HBF有一些，未有超越或取代HBM的，但是，命看，HBF又有不及HBM的地方，是想要取代HBM，必需克服的重。

至於金正教授，Nvidia 了三星 SK Hynix 的依，未可能公司，例如 Micron 或 SanDisk。，然也引起多。

金正教授提到，可能Micron 或 SanDisk，而不是三星或SK Hynix，然有其道理，因三星及SK Hynix都是企，被的不大，而且家都是企，是南目前力大的代表企，在有掉的理由。

至於Micron 及 SanDisk都是美企，看起或容易一，但在目前地政治下，半成各逐的目，Micron 及 SanDisk也在世界各都有生及公室，想要家美公司，度恐怕也不太低。

然，市值大小也是，即使是Micron 或 SanDisk市值小一些，就算市值已五兆美元的，也不一定就能利吃下。

成功否，影的件因素太多，不，希望供商能降低格，且配合AI系到更高的功能更低的能耗，是目前AI展的重，金正教授的言，未值得再察。