美國晶片趨勢底定!台積電前段先進製程+ 英特爾後段先進封裝2027年上陣
美國隊回來了! 英特爾明後年不僅在先進製程挺進,也將在先進封裝露一手。半導體供應鏈表示,由聯發科操刀的Google 2027 年的AI 客製化晶片(ASIC)晶片TPU v9 ,就是率先採用英特爾EMIB先進封裝的首款晶片,也是聯發科首次採用英特爾先進封裝,未來美國客戶的趨勢就是「台積電美國廠前段先進製程+ 英特爾後段先進封裝」底定!
AI需求持續暢旺下,台積電CoWoS產能供不應求CoWoS光罩尺寸限制,以及及價格居高不下,是客戶目前面臨的客題。
宏遠投顧資料顯示,英特爾明後年不僅在先進製程挺進,也將在先進封裝露一手。半導體供應鏈表示,由聯發科操刀的Google 2027 年的AI 客製化晶片(ASIC)晶片TPU v9 ,就是率先採用英特爾EMIB先進封裝的首款晶片,也是聯發科首次採用英特爾先進封裝,未來美國客戶的趨勢就是「台積電美國廠前段先進製程+ 英特爾後段先進封裝」底定!
AI需求持續暢旺下,台積電CoWoS產能供不應求CoWoS光罩尺寸限制,以及及價格居高不下,是客戶目前面臨的客題。
宏遠投顧資料顯示,台積電美國亞利桑那州P1已生產4奈米,預估2027年生產N3製程,P3規劃為N2及以下製程,預估2029年量產,今年增加1000億美元新增建立三座晶圓廠、二座先進封裝廠及一座RD中心。換言之,台積電美國沒有先進封裝,目前就是運回台灣封裝。
但當前雲端CSP廠推進ASIC,為整合更多複雜功能的晶片,封裝面積持續擴大,而英特爾EMIB封裝技術憑其性價比高、光罩尺寸大、熱膨脹係數小,加上供給充足、美國生產等因素,美國CSP已拍板2027年就會採用。
這款代表台積電先進製程+英特爾先進封裝的ASIC晶片就是委由聯發科操刀、Google下一代的 TPU v8e,廣發證券分析師蒲得宇指出,v8e時間表提前,可能在2027年上半年啓動,產品生命週期銷量將達200萬顆,高於v8x的不足100萬顆。
值得注意的是,v8e產能將獲台積電N2/N3及英特爾EMIB-T支持。從規格來看,v8e將配備2個Compute die(N2)及2個I/O die(N3),高於v8x及博通v8AX。這款v8e也是聯發科首次採用英特爾EMIB先進封裝。
以技術來看,英特爾EMIB已可支援 6 倍光罩級封裝,2026–2027 年有望提升至 8~12 倍,將超越階段 CoWoS 的擴展能力。且由於省去中介層,EMIB 的封裝成本可大幅下降,對於有大面積封裝需求的 ASIC 客戶,具高度吸引力。
業者也指出,目前英特爾的EMIB先進封裝在馬來西亞,後續有美國的新墨西哥廠的規劃,由於封裝技術相較晶圓先進製程來說並不難,預期未來美國CSP會有更多業者跟進。
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