台利桑那加速入 2奈米A16台美技差距至一年

台正在推利桑那州的程，第三座晶（Fab 3）於2027年在美入2奈米（2nm）以及A16（1.6nm）程，比原整整提前了一年。者敬／

根美商部特尼克（Howard Lutnick）表示，美政府要求台，「晶片能的50%」移至美生，以保家在面中台之的地政治局，能有半供的保障。

但根台媒，台正在推利桑那州的程，第三座晶（Fab 3）於2027年在美入2奈米（2nm）以及A16（1.6nm）程，比原整整提前了一年。

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就在美喊出50%能移，台推利桑那州的程。（／科技料照）[/caption]

美晶片自自足，和台先程差距小至一年

目前，台利桑那州正朝向4奈米的量目，而3奈米的生也正在中，於今年底生。更重要的是，台透其利桑那州的第四座晶，在2027年同入2奈米1.6 奈米（A16）程。代表相於台本土，美的技程落後一年。

• 台本土程： 2奈米在下一季度始生，A16在2026年下半年推出。


• 美利桑那程： 2奈米A16於2027年入。

指出，能在短短月，台美地的最先程技差距小至一年，疑是一重大的展。

台大在美投，目足30%美需求

台大幅增加的投目中，可以清楚看出公司已好分散其供，配合如（NVIDIA）和果（Apple）等夥伴，以「美造」（Made in USA）的目。

分析，展前美政府始推「健美晶片供」的政策方向一致。在目前美政府的新晶片政策下，美正台晶片供的高度依，可能迫使台必增加其在美投。

到明年，台藉在利桑那州的六座晶，能足美至少30%的晶片需求。

料源：Wccftech

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