印能Q3收新高 能度至明年H1

【者柯安台北】程解方案大-印能科技（7734）9月收2.02元，年增95.79%；第3季收7.13元，季增15.8%，季收新高。印能表示，能主因自於客新建的安建置在第3季完成，出著增加。

人工智慧（AI）高效能算（HPC）正料中心置高速低功耗的烈需求。摩定律微速度放後，晶片效能的提升逐依靠 2.5D/3D封、整合共同封光（CPO）等先封技。些技突破晶片面受限的藩，藉由中介多裸晶共封，相於以往在PCB上的多晶片移到同一封中，著中介尺寸持放大，3.3倍光罩尺寸提高到8倍甚至9.5倍，一封能整合的裸晶及随之增加，有效降低功耗及提升速率。

然而，封面倍增程也新的物理挑。微凸（microbump）柱距小至30-100微米，填在流程中容易泡而在焊附近形成空洞，中介面由光罩尺寸3.3倍往8、9.5倍放大，泡百分之百必定生。印能在第二代VTS台中入真空高循技，能完成泡的消除，但大面晶片的程解除方案也得更加而存在著多的副作用。

著先封技的化，印能的解方案亦持演。公司此次著多先封技解平新世代散解方案加 SEMICON Taiwan 2025，客度高，近期已有多客正在估EvoRTS＋PRO的合解方案，可大面晶片封的助焊留曲行改善。EvoRTS 除泡助焊清除整合於一，在大面封中表突出。由於洽至出需4~5月，期於明年著成，能度已延伸到 2026年上半年，成相今年，可望呈位成。

展望後，著晶片面持大、堆增加，泡、曲、材料留高功率散等成客量最大的挑。印能科技藉完整的程解方案，展出特。包括VTS高真空除泡系WSAS曲抑制等，能有效解大面封的良率瓶，助晶封定。第四代EvoRTS更泡助焊留去除整合於一中，大幅化程提升可靠性，品亦2025年R&D 100 Awards肯定。期印能在品合不升高毛利台比重提升下，利能力可望持成，未展望。（自立子2025/10/9）