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德州器（TI）（TXN）今日宣布，已在日本津工始生氮化（GaN）功率半，一新的投，加上德州拉斯的有GaN造，使TI目前的GaN功率半自有能提升了四倍。
楠梓按摩 TI技造深副裁Mohammad Yunus指出：「我有超十年的GaN晶片造，成功了8GaN技，已在津工量，是目前最具充性且成本力的GaN技。我目是到2030年部GaN晶片造比率提升至95%以上，保多定供GaN品。」
GaN技作矽的替代方案，在能、速度、源解方案的尺寸重量、系成本等方面具著。GaN晶片能提供更高的功率密度，用於型、行的源接器，以及加空系和家用器等用。
TI目前提供最泛的整合式GaN功率半品合，低到高用皆涵在。高源副裁Kannan Soundarapandian表示，GaN技能在更小空提供更高效能，足如伺服器源、太能、AC/DC接器等系於降低功耗和提升效率的需求。
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