势垒电势（或：势垒电位）：指在某些界面或结（如 p-n 结、金属-半导体接触）处形成的电势差/电势能“障碍”，会阻碍带电粒子（电子、空穴、离子）自由通过；只有当外加电压或能量足够时，载流子才能更容易越过或穿透该“势垒”。（在半导体语境中常与 built-in potential 内建电势 密切相关。）
/brir ptnl/
The barrier potential prevents electrons from crossing the junction easily.
势垒电势会阻止电子轻易穿过结区。
In a pn junction, the barrier potential arises from charge separation in the depletion region and changes under applied bias.
在 pn 结中，势垒电势来自耗尽区的电荷分离，并会随外加偏置而改变。
barrier 源自法语 barrière，本义是“栅栏、关卡”，引申为“障碍”。potential 源自拉丁语 potentialis（“有能力的、可能的”），在物理学中专指“势/电势”。组合成 barrier potential，字面即“作为障碍的电势（差）”。
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